據悉，東芝于近日成功開發出了用于顯示器的氧化物半導體TFT。此次東芝開發的氧化物半導體TFT，其中的通道材料采用了非結晶IGZO（In-Ga-Zn-O）。IGZO TFT比現有大型液晶面板的驅動元件所采用的非晶硅TFT的載流子遷移率約高10倍，不過閾值電壓的變化此前卻一直是個問題。

東芝 TOSHIBA

東芝發現IGZO TFT的可靠性與通道材料內部氫的狀態有關。在優化IGZO TFT的成膜條件以及成膜后熱處理（淬火）溫度的同時，通過控制絕緣膜中的氫的濃度，在玻璃基板上以320℃的溫度形成了IGZO TFT。此次制成的IGZO TFT的載流子遷移率為13.5cm2/Vs。

另外東芝還試制了采用此次IGZO TFT的3英寸有機EL面板。在基板上形成了柵極驅動電路。

今后，東芝將推進氧化物半導體TFT形成工藝的低溫化以及進一步確保其可靠性。以便實現基板材料從現在的玻璃材料變為樹脂材料，實現薄型、輕質的平板顯示器的目標。